由于光刻胶技术资料给出的曝光剂量为参考值，而各个实验室与产线的设备和环境又具有较大的差异，因此在做正式光刻之前，往往需要通过实验来确定当前条件下某光刻胶的曝光剂量。我们通常的做法是在同一片衬底上，在不同区域进行多个剂量的曝光，再对显影后的曝光结果进行评估，确定最优曝光剂量，我们称之为多剂量曝光实验。有时一次实验无法获得很准确的最优曝光剂量，可以再次实验迭代缩小剂量范围，直至获得最佳参数值。

      根据光刻胶的种类以及用途不同，显影液分类如下：

      溶剂型显影液，主要用于传统负胶和SU8胶等光刻胶的显影。溶剂型显影液具有一定的挥发性，一般具有芳香或刺激性气味。碱性显影液，主要用于正胶和新型负胶的显影。对于半导体器件，尤其是硅器件等对离子沾污极其敏感的领域，碱性显影液为2.38%的TMAH溶液，其缺点是吸入与皮肤接触毒性很强，人体接触后应大量用水清洗。对离子沾污不敏感的领域，可以采用KOH，NaCO3，NaOH等碱性物质配置水溶液作为显影液使用，即安全又价格低廉。

       为了增强显影液的显影能力，原厂出品的显影液往往还配有一定的表面活性剂。

       显影工艺主要由显影方式、显影温度和显影时间决定。

主要的显影方式分为：

槽式浸泡显影

       可将衬底竖直或平躺的方式放置在显影槽中，让显影液完全淹没衬底，可以多片也可以单片进行浸泡。显影过程中可以通过晃动，搅拌等方式来提升显影的均匀性和显影速率。此方式多以手动为主，实验室中较常见，缺点是均匀性、一致性和准确性较差。

单片浸泡显影

       将衬底置于可旋转的卡盘上，显影液滴在衬底中心，通过卡盘旋转的离心力，显影液流经整个衬底表面，整个显影过程保持新鲜显影液不断流经衬底表面。当显影结束时，用水冲洗衬底表面，然后卡盘启动高速旋转，将衬底甩干。其优点是均匀性一致性好。对于厚度较厚的光刻胶，显影液可采用喷射方式不断冲洗衬底表面，以置换微细结构中被消耗的显影液，提高显影效率和光刻胶图形形貌垂直度。