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后烘

 

      光刻胶被曝光后其光致化学反应并未完全结束,此时需要通过一定温度的烘烤使其反应完全,同时通过光致反应产生的活性成分在此过程中产生扩增,从而通过化学方法增强由光强分布产生的潜像,突破光学系统对比度对分辨率的限制。

       也有非化学增强型的光刻胶需要进行后烘再进行显影,其目的主要是为了增强光刻胶结构强度和让光敏产物均匀。由于后烘关系到光致反应的完成度,因此对于温度精度和烘烤时间的控制要求较高。

 

 

     
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