通过光学投影成像系统，将中间掩模版图形按照所需要的倍率缩小，通过缩小透镜在涂有光刻胶的衬底表面曝光成像，通过自动掩模版对准系统、工作台伺服控制系统和双频激光干涉仪精密定位系统配合，实现光刻工艺层间套刻和在整个衬底范围内分布重复图形阵列的曝光。投影缩小透镜的倍率方便有五倍、四倍和十倍。按照曝光光源的波长可分为g线（436nm）、i线（365nm）、准分子激光（248nm或193nm）。该类曝光技术是目前IC生产领域的主流设备，在增加了许多辅助技术后，其分辨率极限为7nm。