调整掩模版和衬底相对位置和角度实现对准曝光的曝光方式。利用分立显微镜系统观察调整掩模版和晶片上对准标记的相对位置；利用真空和空压系统调节掩模版和晶片之间的气压实现不同接触方式，利用精密电极控制掩模版和衬底之间的间隙实现接近式曝光。它是最古老的光刻技术，其理论分辨率可达到0.5um，但由于掩模版和衬底接触，沾污严重，因此工业生产中一般只在3um以上的情况下采用此方式。目前在研发领域仍然有大规模的应用，在工业领域则集中在LED、MEMS和先进封装等不需要高分辨率的领域。