极紫外光刻常称作EUV光刻，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm的软x射线。由于任何光学透镜都对它产生严重的吸收，所以光学镜片和掩模版只能采用反射投影式的结构。是目前最先进的IC批量生产光刻技术，其分辨率可达到7nm以下。