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KMPR

 

产品特性

负性光刻胶,高深款比:>5:1,高分辨率,垂直性好。

可用TMAH,KOH或者PGMEA显影,易去胶,耐干法刻蚀优异的金属黏附性和电镀膜液稳定性,金属黏附性和电镀膜液稳定性较好。

厚度范围:5-115μm

光源:Near UV (350-400nm) 推荐i-Line,

也可用于E-beam,X-ray

 
     
   
  Spin speed Vs. Thickness  
  for KMPR8 1000 resists (230℃ Japan & Asia)  
  旋涂曲线  
     
 
应用:

DRIE刻蚀掩膜,MEMS与生物芯片的电镀模具。
 
     
   
  Etched Trenches  
  10 μm features, 65 μm deep  
  (Photo Courtesy of ULVAC)  
 
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