| 类型 |
型号 |
厚度 |
分辨率 |
后道工艺 |
现有工艺 |
| 微流控胶 |
SU-8 2000系列 |
0.5-650μm |
大高宽比负胶 |
大高宽比，垂直性好，耐高温，光学透明，适用于MEMS工艺，钝化层，微流控以及光电子器件。 |
紫外光刻 |
| SU-8 3000系列 |
5-100μm |
大高宽比负胶 |
大高宽比，垂直性好，耐高温，光学透明，较2000系列具有更好的基底粘附性，更不易在工艺过程中产生内应力积累，适用于MEMS工艺，微流控，光电器件制作以及作为芯片绝缘、保护层使用。 |
| HTN683/684 |
20-150μm |
5μm@40μm |
高宽比>10，低应力，适合于MEMS，微流控、光电器件等制造工艺。 |
| HTG910/920 |
20-80μm |
30μm@110μm |
厚胶，适用于电镀，高宽比>3,用于制造凸点、电铸模具等。 |
| KMPR |
5-115μm |
大高宽比负胶 |
垂直性好，显影适用TMAH&KOH,易去胶，耐干法刻蚀 |
| SU-8干膜 |
5-1000μm |
大高宽比负胶 |
多种厚度选择，高宽比>5,粗糙度小，耐腐蚀 |
| 电子束胶 |
SML系列(耐刻蚀) |
50-5000nm |
极限5nm |
EM RESIST, 高宽比>10,垂直性好，耐刻蚀，与基底粘附性好 |
电子束光刻 |
| PMMA/MMA |
50-5000nm |
<10nm |
MicroChem, 950K, 495K两种分子量，与基底粘附性好，适用于电子束光刻，多层T-Gate剥离，晶圆减薄等。 |
| PMMA |
30-2000nm |
<10nm |
高分辨率电子束胶，具有35K, 120K，350K，495K, 950K等多种分子量, 适用于各种电子束光刻。 |
| HSQ |
30-950nm |
<10nm |
高分辨率，耐刻蚀，垂直性好，最常用的电子束负胶 |
| RE500 |
105nm-1μm |
<20nm |
高分辨率，耐刻蚀，水性显影液。 |
| RE650 |
150-300nm |
<30nm |
取代ZEP520的电子束正胶，高刻蚀选择比。 |
| NRE800 |
200-350nm |
<50nm |
取代SAL601的电子束负胶。耐刻蚀性能好，高宽比>5。 |
| Lift-off胶 |
ROL-7133 |
2.2-4μm |
4μm @4μm |
负性光刻胶，倒角75-80°，粘附性好，使用普通正胶显影液，适用于制作金属电极或导线。 |
|
| LOR/PMGI-SF |
50nm-6μm |
< 0.25μm |
粘附性好，良好的耐热稳定性，易去胶，作为双层胶的底层胶使用。 |
紫外光刻 |
| HTIN160 |
1.2-2μm |
0.6μm @1.2μm |
高对比度、高宽容度、易去胶，负胶、Lift-of工艺， 制作电极，导线等 |
| NLOF |
1.8-12μm |
0.7μm@2μm |
感光性好，耐高温大于200C，适用于Lift-of工艺。 |
| NR系列 |
0.5-20μm |
一般高宽比<1 |
Futurrex, 粘附性好，耐高温，适用于MEMS、封装、生物芯片等工艺 |
| DUV光刻胶 |
HTKN601系列 |
0.4-1.2μm |
500nm @600nm |
适用于半导体的光刻工艺和金属剥离工艺 |
紫外光刻 |
| HTK109 |
300-600nm |
180nm@0.38μm |
|
| 正胶 |
HTI751 |
0.8-1.2μm |
0.5μm@1μm |
高分辨率、低驻波效应、垂直度好，应用于MEMS、IC工艺。 |
紫外光刻 |
| RDP-8003(55CP) |
2.3-3.5μm |
2μm@2.5μm |
高分辨率，工艺宽容性高，应用于MEMS、IC工艺。 |
| SPR955系列 |
0.7-3.5μm |
0.35μm @0.8μm |
分辨率高，0.35μm线宽，广泛使用的高分辨率正胶。 |
| S18xx系列 |
0.4-2.7μm |
0.5μm@1μm |
高分辨率正胶，粘附性好，耐酸腐蚀，最常用的薄光刻胶，稳定可靠。 |
| SPR220系列 |
1-10μm |
1μm@3μm4μm@12μm |
粘附性好，耐干法/湿法刻蚀，适用于选择性电镀，深硅刻蚀等工艺。 |
| HTI560/560-8 |
1-8μm |
1μm@5μm, 2μm@8μm |
化学放大型正胶，用于集成电路中高能注入和pad制造。 |
| 负胶 |
SU-8 GM10xx系列 |
0.1-200μm |
大高宽比负胶 |
大高宽比，透明度高，垂直性好，适用于微细加工的机械结构(MEMS)和其他的微型系统。 |
紫外光刻 |
SU-8
Micro chem系列 |
0.5-650μm |
大高宽比负胶 |
大高宽比，垂直性好，耐高温，光学透明，适用于MEMS工艺，钝化层，微流控以及光电子器件。 |
| HTG910/920 |
20-80μm |
30μm@110μm |
厚胶，适用于电镀，高宽比>3,用于制造凸点、电铸模具等。 |
| HTI683/684 |
20-150μm |
5μm@40μm |
高宽比>10，低应力，适合于MEMS，微流控、光电器件等制造工艺。 |
| 注：薄胶数据-般为stepper数据，在接触式光刻机上使用时，应按照高宽比1:1 来计算极限分辨率 |
